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凯时668|吧有你春暖花开|消息称2027年iPhone或将采用先进的AI内存技

  据ETNews报道◈◈✿,苹果公司正在开发多项技术创新以纪念 iPhone 诞生 20 周年◈◈✿,而其正在考虑的一项关键技术是移动高带宽内存 (HBM)◈◈✿。HBM 是一种 DRAM◈◈✿,它将内存芯片垂直堆叠吧有你春暖花开凯时668◈◈✿,并通过称为“硅通孔 (TSV)”的微型垂直互连技术连接起来◈◈✿,从而显著提高信号传输速度◈◈✿。

  HBM 目前主要用于 AI 服务器◈◈✿,由于能够与 GPU 协同支持 AI 处理◈◈✿,因此通常被称为 AI 内存◈◈✿。

  顾名思义◈◈✿,移动 HBM 是移动设备技术的一种变体◈◈✿,旨在提供极高的数据吞吐量凯时668凯时668◈◈✿,同时最大限度地降低功耗和 RAM 芯片的物理占用空间◈◈✿。苹果正在寻求增强设备上的 AI 功能吧有你春暖花开◈◈✿,据ETNews报道◈◈✿,将移动 HBM 连接到 iPhone 的 GPU 单元被认为是实现这一目标的有力候选方案凯时668◈◈✿。

  该技术可能是在设备上运行大规模人工智能模型的关键凯时668◈◈✿,例如大型语言模型推理或高级视觉任务◈◈✿,而不会耗尽电池或增加延迟◈◈✿。

  报道指出◈◈✿,苹果可能已经与三星电子和 SK 海力士等主要内存供应商讨论了其计划◈◈✿,这两家公司都在开发自己的移动 HBM 版本◈◈✿。

  据报道吧有你春暖花开◈◈✿,三星正在使用一种名为 VCS(垂直铜柱堆叠)的封装方法凯时668◈◈✿,而 SK 海力士正在研究一种名为 VFO(垂直线扇出)的封装方法◈◈✿。两家公司都计划在 2026 年后实现量产◈◈✿。

  不过◈◈✿,制造方面依然存在挑战◈◈✿。移动HBM的制造成本远高于目前的LPDDR内存◈◈✿。在iPhone等轻薄设备中◈◈✿,它还可能面临散热限制◈◈✿,而且3D堆叠和TSV技术需要高度复杂的封装和良率管理◈◈✿。

  如果苹果确实在其 2027 年 iPhone 系列中采用这项技术◈◈✿,这将是该公司突破其 20 周年纪念版 iPhone 极限的又一例证◈◈✿,据传这款 iPhone 将采用完全无边框的显示屏◈◈✿,环绕设备的所有四个边缘弯曲◈◈✿。凯时66◈◈✿。凯时668◈◈✿,凯时66官网凯时k66◈◈✿。凯时凯时k66访问凯时网站◈◈✿!